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元器件采购网 > S-401页 > FET - 单SI1426DH-T1-E3

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SI1426DH-T1-E3

6-TSSOP,SC-88,SOT-363 Vishay Siliconix 12168 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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SI1426DH-T1-E3参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 3.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装

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