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SI1426DH-T1-E3 |
6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | Vishay Siliconix | 12168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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SI1426DH-T1-E3参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6 包装数量:3000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):30V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.8A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 3.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):- 功率 - 最大值:1W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: FET - 单HAT2166H 芯片电阻 - 表面CRT0603-CY-2491ELF Card EdgeRBC19DRYI-S93 钽电容器594D227X06R3C2W 温度调节器F20A105051ZA0060 通孔电阻器FKN2WSJR-73-5R6 Card EdgeGCM10DTAI-S189 芯片电阻 - 表面RG1005N-1740-P-T1 接口 - 驱动器,L6221AD013TR 存储器 - 用于 AT17LV65A-10JI |